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MAS 101-102-111
Pages
60
Size
3.02 MB
Type
PDF
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Service Manual
Brand
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Audio
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mas-101-102-111.pdf
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Harman Kardon MAS 101-102-111 Service Manual ▷ View online

©2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
TI
P31 Ser
ie
s(TIP3
1/3
1A
/31B/
31C)
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings 
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics 
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤
300
µ
s, Duty Cycle
≤
2%
Symbol
Parameter
Value
Units
 V
CBO
 Collector-Base Voltage     : TIP31
  : TIP31A
  : TIP31B
  : TIP31C
 40
 60
 80
100
V
V
V
V
 V
CEO
 Collector-Emitter Voltage  : TIP31
  : TIP31A
  : TIP31B
  : TIP31C
 40
 60
 80
100
V
V
V
V
 V
EBO
 Emitter-Base Voltage
  5
V
 I
C
 Collector Current (DC)
  3
A
 I
CP
 Collector Current (Pulse)
  5
A
 I
B
 Base Current
  1
A
 P
C
 Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
 40
W
 P
C
 Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
  2
W
 T
J
 Junction Temperature
150
°
C
 T
STG
 Storage Temperature
- 65 ~ 150
°
C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
 V
CEO
(sus)
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
: TIP31
: TIP31A
: TIP31B
: TIP31C
 I
C 
= 30mA, I
B 
= 0
 40
 60
 80
100
V
V
V
V
 
I
CEO
 Collector Cut-off Current
: TIP31/31A
: TIP31B/31C
 V
CE 
= 30V, I
B 
= 0
 V
CE 
= 60V, I
B 
= 0
0.3
0.3
mA
mA
 I
CES
 Collector Cut-off Current
: TIP31
: TIP31A
: TIP31B
: TIP31C
 V
CE 
= 40V, V
EB 
= 0
 V
CE 
= 60V, V
EB 
= 0
 V
CE 
= 80V, V
EB 
= 0
 V
CE 
= 100V, V
EB 
= 0
200
200
200
200
µ
A
µ
A
µ
A
µ
A
 
I
EBO  
 Emitter Cut-off Current
 V
EB 
= 5V, I
C 
= 0
  1
mA
 
h
FE
* DC Current Gain
 V
CE 
= 4V, I
C 
= 1A
 V
CE 
= 4V, I
C 
= 3A
 25
 10
 50
 V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
 I
C 
= 3A, I
B 
= 375mA
1.2
V
 V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
 V
CE 
= 4V, I
C 
= 3A
1.8
V
 f
T
 Current Gain Bandwidth Product
 V
CE 
= 10V, I
C 
= 500mA
3.0
MHz
TIP31 Series(TIP31/31A/31B/31C)
Medium Power Linear Switching Applications
• Complementary to TIP32/32A/32B/32C
1.Base    2.Collector    3.Emitter
1
TO-220
39
©2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
TI
P32 Ser
ie
s(TIP3
2/3
2A
/32B/
32C)
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings 
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics 
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤
300
µ
s, Duty Cycle
≤
2%
Symbol
Parameter
Value
Units
 V
CBO
 Collector-Base Voltage     : TIP32
  : TIP32A
  : TIP32B
  : TIP32C
 - 40
 - 60
 - 80
- 100
V
V
V
V
 V
CEO
 Collector-Emitter Voltage  : TIP32
  : TIP32A
  : TIP32B
  : TIP32C
 - 40
 - 60
 - 80
 -100
V
V
V
V
 V
EBO
 Emitter-Base Voltage
  - 5
V
 I
C
 Collector Current (DC)
  - 3
A
 I
CP
 Collector Current (Pulse)
  - 5
A
 I
B
 Base Current
  - 3
A
 P
C
 Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
  40
W
 P
C
 Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
   2
W
 T
J
 Junction Temperature
 150
°
C
 T
STG
 Storage Temperature
- 65 ~ 150
°
C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
 V
CEO
(sus)
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
: TIP32
: TIP32A
: TIP32B
: TIP32C
 I
C 
= - 30mA, I
B 
= 0
 -40
 -60
 -80
-100
V
V
V
V
 
I
CEO
 Collector Cut-off Current
: TIP32/32A
: TIP32B/32C
 V
CE 
= - 30V, I
B 
= 0
 V
CE 
= - 60V, I
B 
= 0
- 0.3
- 0.3
mA
mA
 I
CES
 Collector Cut-off Current
: TIP32
: TIP32A
: TIP32B
: TIP32C
 V
CE 
= - 40V, V
EB 
= 0 
 V
CE 
= - 60V, V
EB 
= 0
 V
CE 
= - 80V, V
EB 
= 0
 V
CE 
= - 100V, V
CE 
= 0
- 200
- 200
- 200
- 200
µ
A
µ
A
µ
A
µ
A
 
I
EBO  
 Emitter Cut-off Current
 V
EB 
= - 5V, I
C 
= 0
  - 1
mA
 
h
FE
* DC Current Gain
 V
CE 
= - 4V, I
C 
= - 1A
 V
CE 
= - 4V, I
C 
= - 3A
 25
 10
  50
 V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
 I
C 
= - 3A, I
B 
= - 375mA
- 1.2
V
 V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
 V
CE 
= - 4V, I
C 
= - 3A
- 1.8
V
 f
T
 Current Gain Bandwidth Product
 V
CE 
= - 10V, I
C 
= - 500mA
3.0
MHz
TIP32 Series(TIP32/32A/32B/32C)
Medium Power Linear Switching Applications
• Complement to TIP31/31A/31B/31C
1.Base    2.Collector    3.Emitter
1
TO-220
40
AMP PCB 1/2
 
41
AMP PCB 2/2
 
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