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AVR 151S (serv.man2)
Pages
127
Size
16.61 MB
Type
PDF
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Service Manual
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Device
Audio
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avr-151s-sm2.pdf
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PREV: Harman Kardon AVR 151S Service Manual

Harman Kardon AVR 151S (serv.man2) Service Manual ▷ View online

Harman Kardon
AVR151, AVR151S 
Service Manual
Page 41 of 131
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ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION 
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Harman Kardon
AVR151, AVR151S 
Service Manual
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〈
Transistor〉
ＲＴ１Ｎ１４４Ｘ SERIES
Transistor With Resistor
 
For Switching Application
 
Silicon NPN Epitaxial Type
 
ISAHAYA  ELECTRONICS  CORPORATION 
DESCRIPTION 
OUTLINE    DRAWING
UNIT：
mm
RT1N144U
RT1N144C
RT1N144X  is  a  one chip transistor 
with built-in bias resistor,PNP type is RT1P144X.
FEATURE 
・
Built-in bias resistor (R1=10kΩ,R2=47kΩ). 
APPLICATION 
Inverted circuit,switching circuit,interface circuit, 
driver circuit. 
Equivalent circuit
 
 
JEITA：
− 
JEDEC：
− 
    JEITA：
SC-59 
JEDEC：
Similar to TO-236 
Terminal Connector 
①：
Base
②：
Emitter
③：
Collector
Terminal Connector 
①：
Base
②：
Emitter
③：
Collector
RT1N144M 
RT1N144T2 
JEITA：
SC-70 
JEDEC：
− 
JEITA：
−, JEDEC：
− 
ISAHAYA：
T-USM 
 RT1N144S 
Terminal Connector 
①：
Base
②：
Emitter
③：
Collector
Terminal Connector 
①：
Base
②：
Emitter
③：
Collector
0.15 
0
∼
0.1 
0.55 
0.7 
0.3 
0.4
0.8
0.4
1.6
0.5 
0.5 
1.0 
1.6 
①
②
③
0.16 
0
∼
0.1 
0.8 
1.1 
0.4 
0.5
1.5
0.5 
2.5
0.95 
0.95 
1.90 
2.9 
① 
② 
③
C 
(OUT) 
E 
(GND) 
B 
(IN) 
R1 
R2 
0.15 
0
∼
0.1 
0.7 
0.9 
0.3 
1.25
0.425
2.1
0.65 
0.65 
1.3 
2.0 
①
②
③
0.425
4.0
1.0 
1.0 
14.0 
3.0 
1.27 1.27 
0.45 
0.1 
2.5 
0.4 
①  ②
③ 
0.
5
0.25 
0.2 
0.81
0.2
0.4 
0.4 
0.8 
1.21 
① 
② 
③
JEITA：
− 
JEDEC：
− 
Terminal Connector 
①：
Emitter
②：
Collector
③：
Base
1.21
Harman Kardon
AVR151, AVR151S 
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Service Manual
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〈
Transistor〉
ＲＴ１Ｎ１４４Ｘ SERIES
Transistor With Resistor
 
For Switching Application
 
Silicon NPN Epitaxial Type
 
ISAHAYA  ELECTRONICS  CORPORATION 
MAXIMUM RATING (Ta=25℃) 
RATING 
SYMBOL
PARAMETER
RT1N144T2
RT1N144U
RT1N144M
RT1N144C RT1N144S
UNIT
Ｖ
ＣＢＯ
 
Collector to Base voltage 
50 
V 
Ｖ
ＥＢＯ
 
Emitter to Base voltage 
6 
V 
Ｖ
ＣＥＯ
 
Collector to Emitter voltage 
50 
V 
Ｉ
  Ｃ
 Collector 
current 
100 
mA 
Ｉ
  ＣＭ
 
Peak Collector current 
200 
mA 
Ｐ
Ｃ
 Collector 
dissipation(Ta=25℃) 125（
※）
 150 
200 
450 mW 
Ｔｊ
 Junction 
temperature 
+125 
+150 
℃ 
Ｔｓｔ
ｇ Storage 
temperature 
-55∼+125
-55∼+150 
℃ 
      （
※）
  package mounted on 9mm×19mm×1mm glass-epoxy substrate. 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)       
LIMIT 
SYMBOL
PARAMETER
TEST 
CONDITION
MIN TYP MAX
UNIT
Ｖ
（
ＢＲ）
ＣＥＯ
 
C to E break down voltage 
I
  C
=100μA，R
BE
=∞
50
 
V
Ｉ
  ＣＢＯ
 
Collector cut off current 
V
CB
=50V，I
  E
 =0 
0.1 
μA 
ｈ
ＦＥ
 
DC forward current gain 
V
CE
=5V，I
  C
 =5mA 
50 
− 
Ｖ
ＣＥ（
ｓａｔ
）
 
C to E saturation voltage 
I
  C
 =10mA，I
  B
 =0.5mA 
0.1 
0.3 
V 
Ｖ
Ｉ
（
ＯＮ）
 
Input on voltage 
V
CE
=0.2V，I
  C
 =5mA 
1.0 
1.8 
V 
Ｖ
Ｉ
（
ＯＦＦ）
 
Input off voltage 
V
CE
=5V，I
  C
 =100μA
0.4
0.7 
V
Ｒ
１
 Input 
resistance 
7.0 10 13 kΩ 
Ｒ
２
／Ｒ
１
 Resistance 
ratio 
4.2 
4.7 
5.1 
ｆ
Ｔ
 
Gain band width product 
V
CE
=6V，I
  E
 
=-10mA 
 200
MHz 
COLLECTOR DISSIPATION
VS AMBIENT TEMPERTURE
0
100
200
300
400
500
600
0
25
50
75
100
125
150
175
AMBIENT TEMPERTURE Ta (℃)
COLLECTOR DISSIPATION Pc (mW)
RT1N144T2
RT1N144U
RT1N144C
RT1N144M
RT1N144S
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